IGBT（絕緣柵雙極型晶體管，Insulated Gate Bipolar Transistor），是由BJT（雙極型三極管，Bipolar Junction Transistor）和MOS（絕緣柵型場效應管，Metal Oxide Semiconductor）組合而成的復合全控型電壓驅動式功率半導器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度??；綜合了以上兩種器件優(yōu)點的IGBT，因其驅動功率小而飽和壓降低，非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)，如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等。

IGBT模塊則是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品。IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點，封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、不間斷電源（UPS，Uninterrupted Power Supply）等設備上。隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，模塊化產品在市場上將越來越常見；IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產業(yè)，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

利用IGBT實現雙面水冷技術（DSC，Dual-sided Cooling Technology），主要是為了解決新能源汽車（純電動及混動）中，車載逆變器功率密度的問題。IGBT作為雙面水冷模塊，首先需要保證其塑封材料在不同工作溫度下的機械一致性。如下圖所示，相比現有的IGBT模塊，芯片上層的DCB構成第二條散熱通道，用于改善模塊的散熱效果。

由于去除了傳統(tǒng)設計中的銅底板，模塊的熱容顯著減小，其熱耦合性能大幅提高，基本只在熱源附近的芯片溫度較高。同時，新的DSC模塊還伴隨著寄生電感和封裝電阻的顯著降低。此外，模塊還集成了電流和溫度傳感器，便于實現芯片電流、溫度的檢測，這條與常規(guī)芯片倒沒有特別的差異。如下圖通電實驗顯示，在同等條件下采用雙面水冷散熱后，輸出功率能夠增加30%以上。

廣東愛晟電子科技有限公司生產的IGBT用NTC熱敏電阻芯片，采用先進的半導體制程，確保了熱敏電阻芯片連續(xù)生產的高穩(wěn)定、高可靠，制造更高精度的NTC熱敏電阻芯片。

參考數據：

電子發(fā)燒友 《什么是IGBT？如何使用此模塊實現“雙面水冷”，IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何？》