廣東愛晟電子科技有限公司專注于IGBT用NTC熱敏電阻芯片的研發(fā)和生產(chǎn)已經(jīng)13年了，我司采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制程，確保了熱敏電阻芯片的高精度、高可靠、高靈敏。

IGBT集雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT）及金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)于一身，既有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)，又有MOSFET的開關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點(diǎn)。因此，IGBT在高壓、大電流、高速等方面是其他功率半導(dǎo)體器件不可比擬的，其是電力電子領(lǐng)域仲較為理想的開關(guān)器件，也是未來應(yīng)用發(fā)展的主要方向。

從20世紀(jì)80年代至今，IGBT芯片經(jīng)歷了第五代至第六代的產(chǎn)品升級(jí)，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場(chǎng)—截止型（FS-Trench），各方面的指標(biāo)都得到了不斷的優(yōu)化。芯片面積縮小為最初的四分之一，工藝線寬從5微米降到了0.5微米，通態(tài)飽和壓降從3伏降到了1伏，關(guān)斷時(shí)間也變得更快，從0.5微秒降到了0.15微秒，功率損耗也更低，斷態(tài)電壓也從600V提高到了6500V以上。

根據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)的數(shù)據(jù)，全球前五大IGBT廠商的市場(chǎng)份額合計(jì)達(dá)74%，同時(shí)，從400V及以下的常規(guī)IGBT市場(chǎng)到4500V以上的高端IGBT市場(chǎng)，海外廠商的IGBT產(chǎn)品的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)地位均十分明顯。從低、中、高壓IGBT市場(chǎng)來看，大部分的廠商都提供600~1300V中壓范圍內(nèi)的IGBT分立和模塊解決方案，只有少數(shù)廠商專門從事低壓分立IGBT市場(chǎng)。

IGBT產(chǎn)業(yè)鏈一共可以分為四部分，芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊設(shè)計(jì)以及制造封閉性測(cè)試。其中，芯片設(shè)計(jì)和模塊設(shè)計(jì)以及工藝設(shè)計(jì)都有非常高的技術(shù)壁壘，需要真正專業(yè)化的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和長(zhǎng)時(shí)間的技術(shù)積累。近幾年中國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)在國(guó)家政策推動(dòng)和市場(chǎng)牽引下得到迅速發(fā)展，產(chǎn)業(yè)鏈逐步完善。從我國(guó)IGBT企業(yè)目前的競(jìng)爭(zhēng)局面來看，制造和封測(cè)模組環(huán)節(jié)競(jìng)爭(zhēng)力較強(qiáng)，以三大半導(dǎo)體廠商為主導(dǎo)的晶圓代工制造企業(yè)已經(jīng)具備了8~12寸IGBT芯片生產(chǎn)的技術(shù)，并積極推進(jìn)國(guó)產(chǎn)制造端的升級(jí)。但是在芯片設(shè)計(jì)端相對(duì)薄弱，只有少數(shù)的幾家公司具備競(jìng)爭(zhēng)力。與集成電路相比，功率半導(dǎo)體也同樣存在集成元件制造商（IDM，Integrated Device Manufacturer）和無晶圓廠（Fab-less）兩種經(jīng)營(yíng)模式。

參考數(shù)據(jù)：

深度行業(yè)研究樂晴智庫精選《IGBT：功率半導(dǎo)體核心元器件》