廣東愛晟電子科技有限公司至今已成立13年，我司專注于IGBT用NTC熱敏電阻芯片的研發(fā)與生產(chǎn)，擁有多項專利及核心技術(shù)，致力于為IGBT模塊客戶提供更高精度的NTC芯片。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種廣泛應(yīng)用于電路中的功率半導(dǎo)體元器件，是功率半導(dǎo)體之中最重要的元件之一，相當(dāng)于電路中的“CPU”。

IGBT按照電壓等級可分為以下幾個等級：

一、超低壓，電壓范圍400~500V，工作頻率一般低于2KHz，主要應(yīng)用于內(nèi)燃機點火器；

二、低壓，電壓范圍600~1350V，工作頻率一般為2~100KHz，主要應(yīng)用于電動汽車、UPS、家電、電焊機、太陽能電池、風(fēng)電等；

三、中壓，電壓范圍1400~2500V，工作頻率一般為10~50KHz，主要應(yīng)用于地鐵/城軌驅(qū)動、太陽能電池等；

四、高壓，電壓范圍2500~6500V，工作頻率一般為5KHz，主要應(yīng)用于軌道牽引（高鐵、動車組）、電網(wǎng)、大型工業(yè)裝備等。

目前，中國包括IGBT在內(nèi)的功率元器件90%依靠進口，花費一百多億美元，其中IGBT花費最多。截至去年，進口占比已經(jīng)下降到了60%，行業(yè)增速20%。目前，IGBT國際市場被幾家巨頭壟斷，國際市場的格局是歐美日占據(jù)了高端市場，大陸和臺灣占據(jù)了中低端市場。

在4G時代，IGBT的重點指標(biāo)是開關(guān)次數(shù)，例如手機連續(xù)拍照功能，IGBT每秒開關(guān)動作3萬至5萬次。到了5G時代，由于頻率提高，更加注重IGBT的耐受力，要求能夠承受更高的電壓和電流。所以未來的發(fā)展方向是，用擊穿電場更強的第三代半導(dǎo)體材料替代硅基材料，目前主要的替代材料以碳基材料為主，尤其是碳化硅。

國家工信部的規(guī)劃是核心元器件必須自主可控，其中將IGBT列入了重點項目之一，政策支持力度很強。IGBT技術(shù)壁壘最高的是高壓高頻部分，我國一直處于技術(shù)空白的狀態(tài)，直到去年完成了重大的技術(shù)突破，達到了國際標(biāo)準(zhǔn)。預(yù)計未來兩到三年可以擺脫對國外產(chǎn)品的依賴。目前80%的國產(chǎn)市場份額，被前十家公司拿走了，如果完全自主可控，未來毫無疑問將是一片藍海。而IGBT被重點關(guān)注的原因主要有以下幾點：

一、國內(nèi)急需自主可控的元器件；

二、產(chǎn)品漲價，上半年價格上漲了15%；

三、需求端放量；

四、新冠肺炎疫情使得國外產(chǎn)能下降。

IGBT下游放量主要集中在消費電子和新能源車領(lǐng)域。5G時代對于消費電子行業(yè)來說，是確定性的投資機會，所以作為上游的IGBT也會深度受益。另外，新能源汽車與傳統(tǒng)燃油汽車相比，其花在IGBT上的成本將翻倍，像一輛高鐵車廂，需要用到的IGBT模塊就有300多個。

參考數(shù)據(jù)：

蝸牛投資日記《功率半導(dǎo)體之IGBT》