IGBT屬于功率半導(dǎo)器件中的一種，其具有導(dǎo)通電阻小、頻率高、散熱穩(wěn)定、節(jié)能等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于航天航空、電動(dòng)汽車(chē)、新能源裝備、消費(fèi)電子、家用電器等領(lǐng)域。在IGBT工作過(guò)程中，為防止IGBT的工作溫度過(guò)高，出現(xiàn)意外導(dǎo)致?lián)p壞，通常會(huì)安裝一個(gè)NTC熱敏芯片來(lái)進(jìn)行溫度監(jiān)測(cè)。

功率半導(dǎo)體器件（Power Semiconductor Device）是電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電源管理的核心器件，又稱為電力電子器件（Power Electronic Device），主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉(zhuǎn)換和管理等，兼具節(jié)能功效。功率半導(dǎo)體器件被廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通訊、消費(fèi)電子、電動(dòng)車(chē)、軌道交通、工業(yè)控制、發(fā)電與配電等電力電子領(lǐng)域，主要分為功率分立器件、功率集成電路（即Power IC / PIC，又稱為功率IC）和功率模組三類(lèi)。

為了適應(yīng)應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛化與應(yīng)用形式的精密化，功率半導(dǎo)體從結(jié)構(gòu)、技術(shù)、工藝及材料等多方面都有了全面的提升。從功率半導(dǎo)體的發(fā)展路徑來(lái)看，更高功率密度，更小的體積，更低的功耗及損耗是其技術(shù)演進(jìn)的重點(diǎn)方向。

結(jié)構(gòu)上，從晶閘管等半控型器件，到門(mén)極可關(guān)斷晶閘管GTO、電力雙極型晶體管BJT、電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率MOSFET為代表的全控型器件，半導(dǎo)體的演進(jìn)過(guò)程中經(jīng)過(guò)大規(guī)模的基本設(shè)計(jì)更改。例如，IGBT比MOSFET多一層P+區(qū)，通過(guò)P層空穴的注入能夠降低器件的導(dǎo)通電阻。隨著電壓的增大，MOSFET的導(dǎo)通電阻也變大，因而其傳導(dǎo)損耗比較大，尤其是在高壓應(yīng)用場(chǎng)合中，相較而言，IGBT的導(dǎo)通電阻較小，傳導(dǎo)損耗也相對(duì)較小。

集成調(diào)整上，集成電路的技術(shù)促進(jìn)了器件的小型化和功能化，為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件。如，功率模塊就可將多個(gè)功率器件封裝在一起，這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作，而電路在高頻工作時(shí)能更節(jié)能、節(jié)材，能大幅減少設(shè)備體積和重量。

材料迭代，近年來(lái)隨著Si材料電力電子器件逐漸接近其理論極限值，利用寬禁帶半導(dǎo)體材料制造的電力電子器件顯示出比Si更優(yōu)異的特性，給電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了新的生機(jī)。相對(duì)于Si材料，使用寬禁帶半導(dǎo)體材料制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快、更可靠和更高效。這將減少電力電子元件的質(zhì)量、體積以及生命周期成本，允許設(shè)備在更高的溫度、電壓和頻率下工作，使得電子電子器件使用更少的能量卻可以實(shí)現(xiàn)更高的性能。

廣東愛(ài)晟電子科技有限公司生產(chǎn)的IGBT熱敏芯片，因其精度高（精度可達(dá)±0.5%、±1%、±2%、±3%）、反應(yīng)快速、穩(wěn)定性高，在IGBT模塊中擔(dān)任不可或缺的角色，起到溫度監(jiān)測(cè)、溫度控制的作用。