隨著通訊領域的快速發(fā)展，尤其是近幾年，對于終端通訊設備的電磁抗干擾能力的要求越來越高，這給弱電線路的設計布局等帶來極大的挑戰(zhàn)。大的容抗感抗可能給通訊的可靠性造成影響，在此情況下，對于高可靠、低容抗、低感抗、不易被磁化的NTC芯片的需求越來越大。

傳統(tǒng)的NTC芯片，一般由過渡元素錳鈷鎳及鐵的氧化物組成。眾所周知，由于鐵鈷鎳的元素電子排布原因，這幾種元素的磁特性特別突出，含有這些元素的熱敏芯片材料容易磁化且有較高的磁導率。不含鐵鈷鎳元素的熱敏材料可以消除這類影響，但目前該類材料在國內(nèi)外的研究極少。不含鐵鈷鎳的鈣鈦礦結構的LaMnO₃的負溫度特性，可以通過Al、Mn的含量來調(diào)整材料的阻值及B值，以達到最終使用要求。廣東愛晟電子科技有限公司為大家介紹一款幾乎不含F(xiàn)e、Co、Ni元素，磁導率接近1，不易被磁化且不導磁的NTC芯片，其制備方法的具體步驟如下：

一、以La₂O₃、MnCO₃、Al₂O₃為原料，按La₂O₃為100，Al₂O₃為5~50，MnCO₃為55~110的摩爾比置于鋯球球磨罐中，按原料：鋯球：水為1：3：2的重量比加入鋯球、水，球磨8小時，得到漿料；

二、將球磨的漿料在200℃烘干，在900~1200℃煅燒2~8小時，得到固體粉體材料；

三、將煅燒后的固體粉體材料重新置于鋯球磨罐，按固體粉體材料：鋯球：水為1：3：1.5的重量比加鋯球、水，球磨8小時后，在200℃條件下烘干24小時并壓制成型；再在1100~1500℃燒結5小時，得到NTC熱敏芯片材料；

這款不易被磁化且不導磁的NTC芯片，采用La₂O₃、MnCO₃、Al₂O₃為原料，原料經(jīng)鋯球球磨、烘干、900~1200℃煅燒，再球磨，烘干、燒結，得到基本不含F(xiàn)e、Co、Ni元素的NTC熱敏芯片材料。因材料中Fe、Co、Ni含量低于0.005％，解決了傳統(tǒng)的熱敏芯片含F(xiàn)e、Co、Ni系材料較多，容易磁化及有較高的磁導率的問題，所得的NTC熱敏芯片材料不易被磁化且不導磁，磁導率接近1，進而解決了弱電線路中因NTC芯片磁化而導致的電磁干擾問題。

通過對Al、Mn的含量控制，以調(diào)節(jié)鈣鈦礦結構。具有負溫度特性的LaMnO₃的參數(shù)，按La₂O₃為100，Al₂O₃為5~50，MnCO₃為55~110的摩爾比，當Al₂O₃和MnCO₃超出下限范圍時，不能得到穩(wěn)定的鈣鈦礦結構且NTC特性弱，不具備實用性；當Al₂O₃和MnCO₃超出上限范圍時，不能得到穩(wěn)定的鈣鈦礦結構，且NTC特性弱、電阻率太高，同樣不具備實用性。





參考數(shù)據(jù)：

CN107140982A《一種負溫度系數(shù)熱敏電阻材料的制備方法》