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技術(shù)支持
打線門極電阻,助力SiC碳化硅模塊性能提升
發(fā)布者 : admin 發(fā)布時間 : 2024/04/28 09:04:18


近年來,在國家相關(guān)政策支持下,應用于新能源領(lǐng)域的功率模塊迎來了增長新契機。而SiC碳化硅模塊以其卓越性能,成為新能源核心賽道的“佼佼者”。碳化硅模塊的性能提升對于新能源熱管理優(yōu)化至關(guān)重要,而廣東愛晟電子科技有限公司研發(fā)、量產(chǎn)的打線門極電阻,在碳化硅模塊性能升級過程中的作用不可或缺。

相較于傳統(tǒng)的功率模塊,SiC碳化硅模塊憑借其寬禁帶在高頻率、高電流、高溫、高壓等工作環(huán)境中展現(xiàn)出高擊穿場強、低功率損耗、高開關(guān)頻率等優(yōu)越性能。由于新能源對于功率模塊有著更高的性能要求,打線門極電阻能夠幫助碳化硅模塊提高工作效率,迎合行業(yè)需求。其主要優(yōu)勢在于:

一、低電阻溫度系數(shù)(TCR,Temperature Coefficient Of Electric Resistance):這意味著在溫度波動環(huán)境下,打線門極電阻的電阻值受溫度影響小,這對于需要穩(wěn)定運行的碳化硅模塊尤為重要;

二、高精度:打線門極電阻的精度可達1%,有助于提升碳化硅模塊運行時的精確度;

高穩(wěn)定:打線門極電阻在高溫環(huán)境下的老化漂移率低,保證了碳化硅模塊長期工作的高可靠。

具體地,打線門極電阻在碳化硅模塊中通過邦定工藝與SiC芯片進行電連接,有效消除導通時源極電感對柵極電壓的影響,碳化硅模塊不會因此降低開關(guān)導通速度,從而可減少導通損耗。且門極電阻尺寸小,在模塊設計布局中能夠提高空間利用率,使功率密度更高。打線門極電阻憑借其出色的產(chǎn)品特性,為碳化硅模塊的設計和性能優(yōu)化提供了有力的支持。

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