廣東愛晟電子科技有限公司生產(chǎn)的IGBT熱敏芯片，在IGBT模塊中起到溫度控制和溫度監(jiān)測的作用，能有效地幫助IGBT模塊在電動汽車中安全、穩(wěn)定地運(yùn)作。

由于中國市場的IGBT模塊和芯片和長期依賴國外進(jìn)口，因此自2005年開始，大量海外IGBT人才紛紛回國投入國產(chǎn)IGBT模塊和芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，目前已經(jīng)形成一定規(guī)模的IGBT產(chǎn)業(yè)鏈體系。IGBT產(chǎn)業(yè)如今主要有三種商業(yè)模式：

一、Fabless（無晶圓廠）模式，是指只負(fù)責(zé)芯片的電路設(shè)計與銷售，將具體生產(chǎn)環(huán)節(jié)外包的公司。

二、封裝模式，指購買芯片自主封裝的商業(yè)模式。

三、IDM（Integrated Device Manufacture，集成器件制造）模式，是指集芯片設(shè)計、制造、封測多個環(huán)節(jié)于一身的公司。

由于電動汽車的持續(xù)發(fā)展，作為關(guān)鍵器件的IGBT一直處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。面對市場的強(qiáng)勁需求，各IGBT廠商加大了投融資和生產(chǎn)布局。在技術(shù)方面，在電池容量成為電動汽車瓶頸問題的背景下，提高充電功率和效率，節(jié)省行車過程中的能耗等問題是提升電動汽車?yán)m(xù)航能力的有效途徑。因此，常規(guī)車用硅基功率器件均具備被第三代半導(dǎo)體功率器件替代的可能性。

SiC是第三代半導(dǎo)體材料的代表。由于SiC具有高耐壓、低損耗、高效率等特性，可以讓功率器件突破硅的限制，帶來更好的導(dǎo)電性和電力性能。這些特性的提高，正與汽車電子、工業(yè)自動化以及新能源等領(lǐng)域的需求相契合。于是，各大廠商紛紛在SiC上布局。全球SiC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲、日本三足鼎立的態(tài)勢，其中美國全球獨(dú)大。全球SiC產(chǎn)量的70%~80%來自美國公司；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈。

雖然SiC是長期趨勢，但是SiC MOSFET短期內(nèi)難以取代IGBT模塊。SiC在磊晶制作上有材料應(yīng)力的不一致性，造成晶圓尺寸在放大時磊晶層接合面應(yīng)力會超出拉伸極限，導(dǎo)致晶格損壞，降低了產(chǎn)品良品率。因此，目前SiC芯片成品率低，晶圓尺寸主流仍維持4寸或6寸，無法取得大尺寸晶圓成本優(yōu)勢，生產(chǎn)成本過高。同等級別的SiC MOSFET，其成本是Si IGBT的8~12倍，而車用領(lǐng)域SiC解決方案的整體成本相比傳統(tǒng)Si IGBT則高出約300美元。當(dāng)前制約SiC器件發(fā)展的主要因素在于其高昂的價格，而成本的主要決定因素是襯底和晶圓尺寸。未來隨著技術(shù)的發(fā)展，襯底的成本將會慢慢下降，晶圓的尺寸也會越做越大，價格也會慢慢下降。

參考數(shù)據(jù)：

微信公眾號 佐思汽車研究《汽車IGBT研究：電動車IGBT市場份額和發(fā)展趨勢綜述》