芯片電容—單層陶瓷電容具有尺寸小、厚度薄等效串聯(lián)電阻低、損耗低的優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用頻率可達(dá)數(shù)GHZ，適用于小型、微波的場(chǎng)合，廣泛應(yīng)用于微波通訊線路，微波功率放大器以及微波集成電路中，起到隔直通交、RF旁路、 濾波、調(diào)諧等作用。

芯片電容的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)如下（圖1），目前主要采用流延法、軋膜法制備陶瓷基片。通過(guò)磁控濺射、光刻和電鍍方法制備外電極，最后通過(guò)精密切割技術(shù)制得不同尺寸的芯片電容。

圖1

下面簡(jiǎn)要的介紹下芯片電容的陶瓷基片的幾種制備方法：

流延法，流延技術(shù)生產(chǎn)效率高，自動(dòng)化水平高，膜片平整易加工，質(zhì)量穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。流延法是將配制好的瓷漿通過(guò)流延設(shè)備的注漿口，涂布在環(huán)形鋼帶或塑料帶上，從而形成一層均勻的漿料層，其厚度可由漿料的黏度、注漿口的寬度及鋼帶的走帶速度調(diào)節(jié)。經(jīng)過(guò)干燥后形成一定厚度和寬度并具有一定強(qiáng)度和彈性的致密的陶瓷基片，可以很方便地進(jìn)行加工，流延出的瓷膜平整，光潔度高，常見厚度在1-60um之間。

軋膜法：軋膜法通常在軋膜機(jī)上進(jìn)行，軋膜機(jī)由兩個(gè)滾筒組成，滾筒的表面經(jīng)過(guò)鍍鉻拋光，以保證軋出的薄膜具有較高的光潔度。滾筒之間的距離可以調(diào)節(jié)，以便控制軋膜的厚度。一般軋膜 過(guò)程分為配料、粗軋和精軋幾個(gè)工序。配料是瓷料粉末和一定的黏合劑、溶劑等配成漿料，以便粗軋。粗軋的目的是將粉料和黏合劑徹底地混合均勻，并獲得一定的厚度的瓷帶以便進(jìn)行精軋。精軋時(shí)逐步縮小軋膜機(jī)兩個(gè)滾筒之間的距離，通過(guò)反復(fù)多次軋膜，最終獲得所需厚度的陶瓷膜。采用軋膜法能保證瓷膜致密、氣孔小，但瓷膜的厚度難以達(dá)到最小。

兩種方法比較，在同樣燒結(jié)工藝條件下，軋膜工藝得到的陶瓷晶粒較大，導(dǎo)致軋膜式的ε更大。流延工藝制備電容器的ε和tanθ均小些，但其介溫特性差，應(yīng)用時(shí)會(huì)影響電容器的可靠性。