為適應(yīng)電子元件微型化、集成化以及高頻化發(fā)展趨勢(shì)，單層芯片電容（SLC，Single Layer Capacitor）受到越來(lái)越多的青睞。單層芯片電容的結(jié)構(gòu)包括單層陶瓷介質(zhì)層和分別位于陶瓷介質(zhì)層相對(duì)的兩個(gè)表面的上電極層和下電極層。與多層芯片電容相比，單層芯片電容在工作時(shí)的電流路徑更遠(yuǎn)，在射頻、微波下的等效串聯(lián)電阻和等效串聯(lián)電感更低，從而具有更高的自諧振頻率和品質(zhì)因數(shù)。

但是，單層芯片電容厚度薄，采用現(xiàn)有的燒結(jié)工藝容易發(fā)生變形問題，影響成品平整度和性能。現(xiàn)有的加工電極層工藝一般是厚膜印刷電路方式，加工得到的電極層難以實(shí)現(xiàn)超薄的厚度，不利于實(shí)現(xiàn)單層芯片電容的微型化，而且電極材料損耗較大。采用一般的機(jī)械切割方式極易使芯片電容碎裂，成品率低。為了解決上述問題，廣東愛晟電子科技有限公司為大家介紹一種款單層芯片電容，其性能優(yōu)良，成品率高。

該單層芯片電容的制備方法，包括瓷漿制備、陶瓷生片制備、燒結(jié)、清洗、附著電極層、切割。其中，燒結(jié)曲線由升溫排膠段、快速升溫段、高溫段、保溫段、降溫段組成。室溫至400℃為升溫排膠段，升溫速率控制在0.8~1.5℃/min；400℃~1000℃為快速升溫段，升溫速率控制在3.5~5℃/min；1000℃至最高燒溫為高溫段，升溫速率控制在2~3℃/min；溫度達(dá)到最高燒溫時(shí)進(jìn)入保溫段，最高燒溫為1250~1320℃，保溫時(shí)間為2~3小時(shí)；降溫段的降溫速率控制在4~5℃/min。電極層通過(guò)真空濺射工藝在陶瓷介質(zhì)主體的上、下表面分別附著單層或多層金屬電極層；真空濺射時(shí)，真空度控制在5×10-3×10-3Pa，溫度控制在常溫至60℃，靶材濺射電流控制在1A-5A。切割采用激光切割，激光切割的切割速率為100mm~200mm/s，功率為5~12W，重復(fù)切割次數(shù)為1~4次。

這款單層芯片電容厚度薄、尺寸小，并具有超低的串聯(lián)等效電阻和串聯(lián)等效電感，可被應(yīng)用于混合微波集成電路、單片微波集成電路等。該單層芯片電容通過(guò)采用真空濺射工藝加工電極層，各電極層間均保證良好的接觸，使產(chǎn)品具有超低的ESR值，能顯著提高微波電路的有效增益，降低插入損耗。真空濺射工藝得到的電極層極薄，給產(chǎn)品厚度帶來(lái)的增加幾乎可忽略，滿足單層芯片電容的微型化要求，并節(jié)約電極材料。通過(guò)采用激光切割方式切割芯片電容，可根據(jù)所需要的外圍尺寸設(shè)定切割步距，精度高且芯片電容不易碎裂，有效解決一般機(jī)械切割方式易損傷單層芯片電容的問題。





參考數(shù)據(jù)：

CN102013320A《一種單層芯片電容及其制備方法》