廣東愛晟電子科技有限公司研發(fā)、生產(chǎn)的SLC單層芯片電容因其尺寸小、厚度薄、無引線的特點，適合高密度的表面貼裝，在微波集成電路中起到隔直流、濾波、調諧等作用。然而，在常規(guī)技術中由于單層芯片電容尺寸小，在全自動表面貼裝中往往難以操作。借助工具進行貼裝（如顯微鏡）則會增加成本，并且需要保證能準確貼裝，否則還會導致短路情況的發(fā)生。

為了解決上述技術問題，推薦一款適合表面貼裝的SLC單層芯片電容，其具有良好結構強度、簡單工藝、高性價比等特點，并能通過其薄介電層提供高電容值。這款芯片電容首先是將生坯狀態(tài)的陶瓷基片兩側金屬化，并放置于一對生坯狀態(tài)的復合金屬/陶瓷基片之間；通過等靜壓機將它們層壓在一起，然后通過燒結得到單層芯片電容陶瓷基片。

其中，中心電介質層上的金屬層，即內部電極的覆蓋面積小于中心電介質層的整個區(qū)域，延伸至中心電介質層的其中兩個相對邊緣，而不超過其它兩個相對邊緣。另外，陶瓷電介質層和復合材料端部的陶瓷部分在金屬化不足的邊緣燒結在一起，由于本質上是整體結構，從而增加了對于單層芯片電容的結構支撐。值得注意的是，復合材料端部包含導電金屬，中心電介電層不包含金屬，因此復合材料中的金屬會優(yōu)先鍍覆復合材料端部，而中心電介電層的純陶瓷則不會被鍍覆。由此而得到的單層芯片電容基本上是一個整體結構，這意味著它是由固體結構的材料燒結而成，從而消除了結構內部的邊界、接口等，且不包含環(huán)氧樹脂、膠水、焊料等。在整個生產(chǎn)過程中，唯一的組裝步驟發(fā)生在生坯狀態(tài)。而且這款單層芯片電容的導電金屬可以是Ag、AgNO3或AgCO3，另外也可以使用Cu、Ni及其合金，但這些金屬通常需要還原氣氛。Pd、Pt、Au及其合金也可以使用，但這些金屬通常比Ag基體系更昂貴。而陶瓷材料采用的是超低溫燒結陶瓷材料，用于復合材料的導電金屬部分，其燒結溫度一般為800℃左右。這個溫度點可使超低溫燒結陶瓷材料將與金屬部分最相容，需要注意的是，陶瓷材料必須在金屬熔點以下進行燒結。

這款適合表面貼裝的單層芯片電容，其結構完整性更有利于自身向小型化發(fā)展，而且其良好的結構強度、簡單的工藝過程，也能為客戶提供范圍更廣的電容值。





參考數(shù)據(jù)：

US6969647B2《Method of making single layer capacitor》