常規(guī)的SLC單層芯片電容在組裝到PCB板過程中，若沒有足夠的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度便容易產(chǎn)生裂紋、剝落等情況。但是通過現(xiàn)有的制造工藝生產(chǎn)的單層芯片電容，增加陶瓷體的厚度以獲取更大的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，則難以保證電容值。

該怎么在保持大電容值的前提下得到高結(jié)構(gòu)強(qiáng)度呢？愛晟電子推薦一款在保持原有尺寸同時(shí)，保證高電容值以及高結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的單層芯片電容。這款芯片電容將電極定位于陶瓷介質(zhì)材料的各個(gè)層之間，以此構(gòu)建一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部電極，該陶瓷介質(zhì)材料可以是Ⅰ類、Ⅱ類、Ⅲ類瓷介材料或其它任何適用于制造單層芯片電容的材料。其中，陶瓷介質(zhì)層至少有一個(gè)內(nèi)部埋入電極，且延伸至整個(gè)面，與位于四個(gè)側(cè)面的至少一部分及整個(gè)下表面的金屬層電接觸；同時(shí)，至少有一個(gè)電隔離的金屬化墊位于陶瓷體的上表面且電隔離于陶瓷介質(zhì)層內(nèi)部的所有電極。電隔離的金屬化墊與內(nèi)部電極的主表面平行，僅在陶瓷介質(zhì)層的上表面形成。

按這種制備方法生產(chǎn)的單層芯片電容，其電容值的范圍更寬，且保持高結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。允許定制電容值的同時(shí)，還利用薄陶瓷介質(zhì)層在不犧牲結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的情況下提供高電容值。