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技術(shù)支持
高可靠單層芯片電容
發(fā)布者 : admin 發(fā)布時(shí)間 : 2023/01/05 09:01:16


單層芯片電容被廣泛應(yīng)用于微波通訊、微波功率放大器、微波集成電路等,起到隔直通交、RF旁路、濾波、調(diào)諧等作用?,F(xiàn)有的單層芯片電容的制備工藝為:陶瓷粉料配料→球磨→等靜壓成型→燒結(jié)陶瓷錠→切片→絲網(wǎng)印刷法印刷銀漿→烘干→燒銀→劃切。然而,使用銀電極和采用絲網(wǎng)印刷法存在以下幾個(gè)問(wèn)題:

一、銀漿在絲網(wǎng)印刷和烘干過(guò)程中容易受到污染,且得到的銀電極容易氧化、發(fā)黃發(fā)黑,造成產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性較差;

二、前期制備銀漿和后期烘干銀漿、燒結(jié)銀電極的工序較為繁瑣;

三、印刷制得的銀電極層厚度較大且在陶瓷基片的表面上覆蓋不均勻,在劃切過(guò)程中容易起皮和產(chǎn)生毛刺,銀漿材料損耗較多;

四、銀層在高溫?zé)Y(jié)時(shí)會(huì)重新結(jié)晶,晶型改變從而性能發(fā)生改變,造成產(chǎn)品電氣性能下降;

五、在高溫?zé)y過(guò)程中排放的氣體對(duì)環(huán)境造成污染。

為解決上述問(wèn)題,廣東愛(ài)晟電子科技有限公司介紹一款高可靠Ir-Cu-Au復(fù)合電極單層芯片電容,其具有穩(wěn)定性好、可靠性高、不易老化、耐冷熱沖擊等優(yōu)點(diǎn)。具體制備方法如下:

1)制備陶瓷基材

按常規(guī)單層芯片電容陶瓷配方配得陶瓷粉末,再對(duì)陶瓷粉末進(jìn)行球磨、等靜壓成型、燒結(jié)、切片,得到片狀的陶瓷基材。

2)一次清洗

使用清洗液處理陶瓷基材,再使用超聲波機(jī)清洗,清洗時(shí)間為5±1分鐘,然后烘干,烘干溫度為100±5℃,烘干時(shí)間為30±5分鐘。

3)二次清洗

將一次清洗得到的陶瓷基材放到等離子清洗機(jī)中進(jìn)行二次清洗,清洗時(shí)間為5±1分鐘,烘干溫度為100±5℃,烘干時(shí)間為30±5分鐘,同時(shí)活化表面。

4)濺射銥層

先將真空濺射鍍膜機(jī)抽真空到工藝范圍,再充入氬氣作為工作氣體,以銥作為靶材,在電場(chǎng)作用下,Ar+加速轟擊靶材,將靶材原子濺射到陶瓷基材上,在陶瓷基材的兩表面上分別濺射一層銥層,濺射厚度為0.01~2微米。

5)濺射銅層

先將真空濺射鍍膜機(jī)抽真空到工藝范圍,再充入氬氣作為工作氣體,以銅作為靶材,在電場(chǎng)作用下,Ar+加速轟擊靶材,將靶材原子濺射到陶瓷基材上,在陶瓷基材兩表面的銥層表面上分別濺射一層銅層,濺射厚度為0.01~2微米。

6)濺射金層

先將真空濺射鍍膜機(jī)抽真空到工藝范圍,再充入氬氣作為工作氣體,以金作為靶材,在電場(chǎng)作用下,Ar+加速轟擊靶材,將靶材原子濺射到陶瓷基材上,在陶瓷基材兩表面的銅層表面上分別濺射一層金層,濺射厚度為0.01~1微米。

7)對(duì)陶瓷基材進(jìn)行劃切,得到單層芯片電容。





參考數(shù)據(jù):

CN111180203A《一種高精度高可靠Ir-Cu-Au復(fù)合電極芯片電容》

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