單層芯片電容的優(yōu)良微波頻率、高介電常數(shù)，使其被廣泛應(yīng)用于微波器件、射頻器件、LED等需要微組裝工藝的電子設(shè)備中。常規(guī)的單層芯片電容為獲取高介電常數(shù)，其瓷體晶粒必須≥30μm，這就容易導(dǎo)致高溫高濕環(huán)境下，水汽容易吸附在側(cè)壁晶界上，導(dǎo)致單層芯片電容絕緣電阻下降。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，廣東愛(ài)晟電子科技有限公司介紹一款單層芯片電容，其性能優(yōu)良，解決了單層芯片電容在高溫高濕環(huán)境下絕緣電阻下降的問(wèn)題。這款單層芯片電容晶界層的材料配比為TiO2 60~65％、SrCO3 33~39％、La2O3 0.2~2.5％，配方中還包括添加劑，所述添加劑為Ta2O3、Nb2O3、Al2O3、SiO2、MnCO3或CuO中的一種或兩種以上組成。具體的制備方法如下：

一、將材料按百分比配好后加入去離子水進(jìn)行混合10~20小時(shí)，然后烘干、粉碎；

二、將粉碎好的材料在1200℃~1300℃下煅燒2~3小時(shí)，然后粉碎過(guò)篩； 

三、將過(guò)篩后的材料加入添加劑，其比重占總重量的0.1~1.5%，混合10~20小時(shí)后進(jìn)行流延成膜；

四、將膜片在空氣中，500℃~1200℃下排膠10~40小時(shí)；然后在7％~15％氫含量的氫氮混合氣中1400℃~1450℃下還原2~3小時(shí)；最后在燒結(jié)片上涂覆氧化劑，在空氣氣氛中750~℃1200℃下氧化20~180分鐘，得到燒結(jié)后的單層芯片電容用基片；

五、將基片進(jìn)行清洗和濺射鈦鎢、鎳、金，然后電鍍金，得到金屬化基片；

六、將金屬化基片進(jìn)行切割，得到所需要大小的小基片；

七、將切割好的小基片用離心機(jī)甩干，然后放入烘箱中在150℃~250℃的溫度下進(jìn)行固化處理，得到單層芯片電容。





參考資料：

CN102320827B《單層電容器晶界層材料、基片的制作方法、以及單層電容器的方法》